1. BD244B
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厂商型号

BD244B 

产品描述

Trans GP BJT PNP 80V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk

内部编号

3-BD244B

#1

数量:1200
1+¥2.3885
25+¥2.2344
100+¥2.0804
500+¥2.0033
1000+¥1.9262
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:1200
1+¥2.3885
25+¥2.2344
100+¥2.0804
500+¥2.0033
1000+¥1.9262
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:1591
1+¥4.2394
10+¥3.5693
100+¥2.1744
1000+¥1.6821
2500+¥1.4359
10000+¥1.3265
25000+¥1.2581
50000+¥1.2034
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BD244B产品详细规格

规格书 BD244B datasheet 规格书
BD244B datasheet 规格书
BD244/A/B/C
BD244B datasheet 规格书
文档 Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 200
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 6A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1.5V @ 1A, 6A
电流 - 集电极截止(最大) 700µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 15 @ 3A, 4V
功率 - 最大 65W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
包装材料 Bulk
包装 3TO-220AB
类型 PNP
引脚数 3
最大集电极发射极电压 80 V
集电极最大直流电流 6 A
最小直流电流增益 30@300mA@4V|15@3A@4V
最大集电极发射极饱和电压 1.5@1A@6A V
工作温度 -65 to 150 °C
最大功率耗散 65000 mW
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
集电极最大直流电流 6
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-220
最低工作温度 -65
最大功率耗散 65000
最大基地发射极电压 5
封装 Bulk
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 80
供应商封装形式 TO-220AB
最大集电极发射极电压 80
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 6A
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1.5V @ 1A, 6A
电流 - 集电极截止(最大) 700µA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 TO-220
功率 - 最大 65W
封装/外壳 TO-220-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 15 @ 3A, 4V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 200
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO - 5 V
安装风格 Through Hole
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
直流集电极/增益hfe最小值 30
单位重量 0.063493 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 80 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
集电极 - 发射极饱和电压 - 1.5 V
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 - 6 A
增益带宽产品fT 3 MHz
系列 BD244B
集电极 - 基极电压VCBO - 80 V
最低工作温度 - 65 C
集电极电流(DC ) 6 A
集电极 - 基极电压 80 V
集电极 - 发射极电压 80 V
发射极 - 基极电压 5 V
功率耗散 65 W
工作温度范围 -65C to 150C
包装类型 TO-220AB
元件数 1
直流电流增益 30
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
长度 10.1 mm (Max)
身高 9.4 mm (Max)
Pd - Power Dissipation 65 W
品牌 Fairchild Semiconductor

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    0512-67683728
    0512-67483580
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